Sirkuit Terpadu IRFS3607TRLPBF IC Chip IRFS3607TRLPBF
Atribut produk
TIPE | PEDARAN |
Kategori | Produk Semikonduktor diskrit |
Mfr | Infineon Technologies |
Runtuyan | HEXFET® |
Bungkusan | Pita & Reel (TR) Pita Potong (CT) Digi-Reel® |
Status produk | Aktip |
Tipe FET | Saluran N |
Téknologi | MOSFET (Metal Oksida) |
Solokan ka Sumber Tegangan (Vdss) | 75 V |
Arus - Solokan Kontinyu (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 46A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Muatan (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ± 20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Max) @ Vds | 3070 pF @ 50 V |
Fitur FET | - |
Dissipasi Daya (Max) | 140W (Tc) |
Suhu Operasi | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipe Pamasangan | Permukaan Gunung |
Paket Alat Supplier | D2PAK |
Paket / Kasus | TO-263-3, D²Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB |
Nomer Produk Dasar | IRFS3607 |
Dokumén & Média
JENIS SUMBER DAYA | link |
Lembar data | Lembar data IRFS3607PBF |
Dokumén Patali séjén | IR Part Numbering System |
Modul Pelatihan Produk | Sirkuit Terpadu Tegangan Tinggi (Supir Gerbang HVIC) |
Produk anu diulas | Systems Ngolah Data |
Lembar Data HTML | Lembar data IRFS3607PBF |
Modél simulasi | IRFB_S_SL3607PBF Modél bungbu |
Klasifikasi Lingkungan & Ékspor
Atribut | PEDARAN |
Status RoHS | ROHS3 patuh |
Tingkat Sensitipitas Kelembaban (MSL) | 1 (Henteu Wates) |
Status REACH | REACH Teu kapangaruhan |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumberdaya tambahan
Atribut | PEDARAN |
Ngaran séjén | SP001578296 IRFS3607TRLPBFCT IRFS3607TRLPBFDKR IRFS3607TRLPBFTR |
Paket Standar | 800 |
Transistor mangrupikeun alat semikonduktor anu biasa dianggo dina amplifier atanapi saklar anu dikontrol sacara éléktronik.Transistor mangrupikeun blok wangunan dasar anu ngatur operasi komputer, telepon sélulér, sareng sadaya sirkuit éléktronik modéren sanés.
Alatan speed respon gancang maranéhanana sarta akurasi tinggi, transistor bisa dipaké pikeun rupa-rupa fungsi digital sarta analog, kaasup amplifikasi, switching, regulator tegangan, modulasi sinyal jeung osilator.Transistor bisa dipak individual atawa di wewengkon leutik pisan nu bisa nampung 100 juta atawa leuwih transistor salaku bagian tina sirkuit terpadu.
Dibandingkeun jeung tabung éléktron, transistor ngabogaan loba kaunggulan:
1.Komponén teu boga konsumsi
Perkara teu sabaraha alus tabung téh, éta laun bakal deteriorate alatan parobahan dina atom katoda sarta leakage hawa kronis.Pikeun alesan téknis, transistor ngagaduhan masalah anu sami nalika mimiti didamel.Kalayan kamajuan bahan sareng perbaikan dina seueur aspék, transistor biasana tahan 100 dugi ka 1,000 kali langkung lami tibatan tabung éléktronik.
2.Consume saeutik pisan kakuatan
Ieu ngan hiji kasapuluh atawa puluhan tina salah sahiji tabung éléktron.Teu perlu panas filamén pikeun ngahasilkeun éléktron bébas kawas tabung éléktron.Radio transistor ngan ukur peryogi sababaraha batré garing pikeun ngadangukeun genep bulan sataun, anu sesah dilakukeun pikeun radio tabung.
3. Teu perlu preheat
Gawé pas dihurungkeun.Contona, radio transistor pareum pas dihurungkeun, sareng televisi transistor nyetél gambar pas dihurungkeun.Parabot tabung vakum teu tiasa ngalakukeun éta.Saatos boot, antosan sakedap ngadangu sora, tingali gambarna.Jelas, dina militér, pangukuran, rékaman, jsb, transistor pohara nguntungkeun.
4.Strong jeung dipercaya
100 kali leuwih dipercaya ti tube éléktron, résistansi shock, résistansi Geter, nu incomparable kana tube éléktron.Sajaba ti éta, ukuran transistor ngan hiji-kasapuluh nepi ka saratus tina ukuran tina tube éléktron, saeutik pisan release panas, bisa dipaké pikeun ngarancang leutik, kompléks, sirkuit dipercaya.Sanaos prosés manufaktur transistor tepat, prosésna saderhana, anu kondusif pikeun ningkatkeun dénsitas pamasangan komponén.