Anyar jeung aslina BSC100N06LS3G sirkuit Integrated Jeung Quality
Atribut produk
| TIPE | PEDARAN |
| Kategori | Produk Semikonduktor diskrit |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Runtuyan | OptiMOS™ |
| Bungkusan | Pita & Reel (TR) Pita Potong (CT) Digi-Reel® |
| Status produk | Aktip |
| Tipe FET | Saluran N |
| Téknologi | MOSFET (Metal Oksida) |
| Solokan ka Sumber Tegangan (Vdss) | 60 V |
| Arus - Solokan Kontinyu (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 50A (Tc) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23μA |
| Gate Muatan (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
| Fitur FET | - |
| Dissipasi Daya (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Suhu Operasi | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pamasangan | Permukaan Gunung |
| Paket Alat Supplier | PG-TDSON-8-5 |
| Paket / Kasus | 8-PowerTDFN |
| Nomer Produk Dasar | BSC100 |
Dokumén & Média
| JENIS SUMBER DAYA | link |
| Lembar data | BSC100N06LS3 G |
| Dokumén Patali séjén | Pituduh Nomer Bagian |
| Produk anu diulas | Systems Ngolah Data |
| Lembar Data HTML | BSC100N06LS3 G |
| Modél EDA | BSC100N06LS3GATMA1 ku pustakawan Ultra |
| Modél simulasi | MOSFET OptiMOS™ 60V Modél Bumbu N-Channel |
Klasifikasi Lingkungan & Ékspor
| Atribut | PEDARAN |
| Status RoHS | ROHS3 patuh |
| Tingkat Sensitipitas Kelembaban (MSL) | 1 (Henteu Wates) |
| Status REACH | REACH Teu kapangaruhan |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Klasifikasi Lingkungan & Ékspor
| Atribut | PEDARAN |
| Status RoHS | ROHS3 patuh |
| Tingkat Sensitipitas Kelembaban (MSL) | 1 (Henteu Wates) |
| Status REACH | REACH Teu kapangaruhan |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumberdaya tambahan
| Atribut | PEDARAN |
| Ngaran séjén | BSC100N06LS3 GTR SP000453664 BSC100N06LS3 G-ND BSC100N06LS3GATMA1DKR BSC100N06LS3GATMA1TR BSC100N06LS3 GDKR BSC100N06LS3 GCT BSC100N06LS3G BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 GCT-ND BSC100N06LS3 GTR-ND BSC100N06LS3 GDKR-ND BSC100N06LS3GATMA1CT BSC100N06LS3GATMA1DKR-NDTR-ND |
| Paket Standar | 5.000 |
Transistor mangrupikeun alat semikonduktor anu biasa dianggo dina amplifier atanapi saklar anu dikontrol sacara éléktronik.Transistor mangrupikeun blok wangunan dasar anu ngatur operasi komputer, telepon sélulér, sareng sadaya sirkuit éléktronik modéren sanés.
Alatan speed respon gancang maranéhanana sarta akurasi tinggi, transistor bisa dipaké pikeun rupa-rupa fungsi digital sarta analog, kaasup amplifikasi, switching, regulator tegangan, modulasi sinyal jeung osilator.Transistor bisa dipak individual atawa di wewengkon leutik pisan nu bisa nampung 100 juta atawa leuwih transistor salaku bagian tina sirkuit terpadu.
Dibandingkeun jeung tabung éléktron, transistor ngabogaan loba kaunggulan:
1.Komponén teu boga konsumsi
Perkara teu sabaraha alus tabung téh, éta laun bakal deteriorate alatan parobahan dina atom katoda sarta leakage hawa kronis.Pikeun alesan téknis, transistor ngagaduhan masalah anu sami nalika mimiti didamel.Kalayan kamajuan bahan sareng perbaikan dina seueur aspék, transistor biasana tahan 100 dugi ka 1,000 kali langkung lami tibatan tabung éléktronik.
2.Consume saeutik pisan kakuatan
Ieu ngan hiji kasapuluh atawa puluhan tina salah sahiji tabung éléktron.Teu perlu panas filamén pikeun ngahasilkeun éléktron bébas kawas tabung éléktron.Radio transistor ngan ukur peryogi sababaraha batré garing pikeun ngadangukeun genep bulan sataun, anu sesah dilakukeun pikeun radio tabung.
3. Teu perlu preheat
Gawé pas dihurungkeun.Contona, radio transistor pareum pas dihurungkeun, sareng televisi transistor nyetél gambar pas dihurungkeun.Parabot tabung vakum teu tiasa ngalakukeun éta.Saatos boot, antosan sakedap ngadangu sora, tingali gambarna.Jelas, dina militér, pangukuran, rékaman, jsb, transistor pohara nguntungkeun.
4.Strong jeung dipercaya
100 kali leuwih dipercaya ti tube éléktron, résistansi shock, résistansi Geter, nu incomparable kana tube éléktron.Sajaba ti éta, ukuran transistor ngan hiji-kasapuluh nepi ka saratus tina ukuran tina tube éléktron, saeutik pisan release panas, bisa dipaké pikeun ngarancang leutik, kompléks, sirkuit dipercaya.Sanaos prosés manufaktur transistor tepat, prosésna saderhana, anu kondusif pikeun ningkatkeun dénsitas pamasangan komponén.
