IPD068P03L3G anyar aslina komponén éléktronik chip IC MCU jasa BOM di stock IPD068P03L3G
Atribut produk
TIPE | PEDARAN |
Kategori | Produk Semikonduktor diskrit |
Mfr | Infineon Technologies |
Runtuyan | OptiMOS™ |
Bungkusan | Pita & Reel (TR) Pita Potong (CT) Digi-Reel® |
Status produk | Aktip |
Tipe FET | Saluran P |
Téknologi | MOSFET (Metal Oksida) |
Solokan ka Sumber Tegangan (Vdss) | 30 V |
Arus - Solokan Kontinyu (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 70A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Gate Muatan (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ± 20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Max) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
Fitur FET | - |
Dissipasi Daya (Max) | 100W (Tc) |
Suhu Operasi | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipe Pamasangan | Permukaan Gunung |
Paket Alat Supplier | PG-TO252-3 |
Paket / Kasus | TO-252-3, DPak (2 kalungguhan + Tab), SC-63 |
Nomer Produk Dasar | IPD068 |
Dokumén & Média
JENIS SUMBER DAYA | link |
Lembar data | IPD068P03L3 G |
Dokumén Patali séjén | Pituduh Nomer Bagian |
Produk anu diulas | Systems Ngolah Data |
Lembar Data HTML | IPD068P03L3 G |
Modél EDA | IPD068P03L3GATMA1 ku pustakawan Ultra |
Klasifikasi Lingkungan & Ékspor
Atribut | PEDARAN |
Status RoHS | ROHS3 patuh |
Tingkat Sensitipitas Kelembaban (MSL) | 1 (Henteu Wates) |
Status REACH | REACH Teu kapangaruhan |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumberdaya tambahan
Atribut | PEDARAN |
Ngaran séjén | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Paket Standar | 2.500 |
Transistor
Transistor nyaéta aalat semikonduktortilasngagedékeunatawapindahsinyal listrik jeungkakuatan.Transistor mangrupa salah sahiji blok wangunan dasar modernéléktronika.[1]Ieu diwangun kubahan semikonduktor, biasana mibanda sahanteuna tiluterminalpikeun sambungan kana sirkuit éléktronik.AVoltaseuatawaayeunadilarapkeun ka sapasang terminal transistor ngadalikeun arus ngaliwatan sapasang terminal sejen.Kusabab kakuatan (kaluaran) dikawasa tiasa langkung luhur tibatan kakuatan (input) anu ngatur, transistor tiasa ngagedékeun sinyal.Sababaraha transistor ngarangkep masing-masing, tapi seueur deui anu aya dilebetkeunsirkuit terpadu.
Austria-Hungaria fisikawan Julius Edgar Lilienfeldngajukeun konsép atransistor pangaruh médandi 1926, tapi teu mungkin mun sabenerna ngawangun hiji alat gawé dina waktu éta.[2]Alat kerja munggaran anu diwangun nyaéta atransistor titik-kontakinvented in 1947 ku fisikawan AmérikaJohn BardeenjeungWalter Brattainbari digawé di handapeunWilliam ShockleydiBell Labs.Tilu ngabagi 1956Hadiah Nobel dina Fisikapikeun prestasi maranéhanana.[3]Jenis transistor anu paling sering dianggo nyaétalogam-oksida-semikonduktor transistor pangaruh médan(MOSFET), nu ieu invented byMohamed AtallajeungDawon Kahngdi Bell Labs taun 1959.[4][5][6]Transistor revolutionized widang éléktronika, sarta diaspal jalan pikeun leutik tur murahradio,kalkulator, jeungkomputer, diantarana.
Kalolobaan transistor dijieun tina pisan murnisilikon, jeung sababaraha tigermanium, tapi sababaraha bahan semikonduktor séjén kadang dipaké.Transistor tiasa gaduh ngan hiji jinis pamawa muatan, dina transistor efek medan, atanapi tiasa gaduh dua jinis pamawa muatan dinatransistor simpang bipolaralat-alat.Dibandingkeun jeungtabung vakum, transistor umumna leuwih leutik sarta merlukeun kakuatan kirang pikeun beroperasi.Sababaraha tabung vakum gaduh kaunggulan dibandingkeun transistor dina frékuénsi operasi anu luhur pisan atanapi tegangan operasi anu luhur.Seueur jinis transistor didamel pikeun spésifikasi standar ku sababaraha pabrik.