AQX IRF7416TRPBF Anyar jeung aslina terpadu Circuit ic chip IRF7416TRPBF
Atribut produk
| TIPE | PEDARAN |
| Kategori | Produk Semikonduktor diskrit |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Runtuyan | HEXFET® |
| Bungkusan | Pita & Reel (TR) Pita Potong (CT) Digi-Reel® |
| Status produk | Aktip |
| Tipe FET | Saluran P |
| Téknologi | MOSFET (Metal Oksida) |
| Solokan ka Sumber Tegangan (Vdss) | 30 V |
| Arus - Solokan Kontinyu (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Muatan (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Fitur FET | - |
| Dissipasi Daya (Max) | 2.5W (Ta) |
| Suhu Operasi | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipe Pamasangan | Permukaan Gunung |
| Paket Alat Supplier | 8-SO |
| Paket / Kasus | 8-SOIC (0.154″, 3.90mm Rubak) |
| Nomer Produk Dasar | IRF7416 |
Dokumén & Média
| JENIS SUMBER DAYA | link |
| Lembar data | IRF7416PbF |
| Dokumén Patali séjén | IR Part Numbering System |
| Modul Pelatihan Produk | Sirkuit Terpadu Tegangan Tinggi (Supir Gerbang HVIC) |
| Produk anu diulas | Systems Ngolah Data |
| Lembar Data HTML | IRF7416PbF |
| Modél EDA | IRF7416TRPBF ku pustakawan Ultra |
| Modél simulasi | IRF7416PBF Saber Modél |
Klasifikasi Lingkungan & Ékspor
| Atribut | PEDARAN |
| Status RoHS | ROHS3 patuh |
| Tingkat Sensitipitas Kelembaban (MSL) | 1 (Henteu Wates) |
| Status REACH | REACH Teu kapangaruhan |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Sumberdaya tambahan
| Atribut | PEDARAN |
| Ngaran séjén | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| Paket Standar | 4.000 |
IRF7416
Mangpaat
Struktur sél planar pikeun SOA lega
Dioptimalkeun pikeun kasadiaan lega ti mitra distribusi
Kualifikasi produk nurutkeun standar JEDEC
Silicon dioptimalkeun pikeun aplikasi switching handap <100KHz
pakét kakuatan permukaan-Gunung baku industri
Sanggup keur gelombang-soldered
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET dina pakét SO-8
Mangpaat
RoHS patuh
RDS rendah (on)
kualitas industri-ngarah
Peunteun dv/dt dinamis
Ngalihkeun gancang
Pinuh longsoran Dipeunteun
175 ° C Suhu Operasi
P-Channel MOSFET
Transistor
Transistor nyaéta aalat semikonduktortilasngagedékeunatawapindahsinyal listrik jeungkakuatan.Transistor mangrupa salah sahiji blok wangunan dasar modernéléktronika.[1]Ieu diwangun kubahan semikonduktor, biasana mibanda sahanteuna tiluterminalpikeun sambungan kana sirkuit éléktronik.AVoltaseuatawaayeunadilarapkeun ka sapasang terminal transistor ngadalikeun arus ngaliwatan sapasang terminal sejen.Kusabab kakuatan (kaluaran) dikawasa tiasa langkung luhur tibatan kakuatan (input) anu ngatur, transistor tiasa ngagedékeun sinyal.Sababaraha transistor ngarangkep masing-masing, tapi seueur deui anu aya dilebetkeunsirkuit terpadu.
Austria-Hungaria fisikawan Julius Edgar Lilienfeldngajukeun konsép atransistor pangaruh médandi 1926, tapi teu mungkin mun sabenerna ngawangun hiji alat gawé dina waktu éta.[2]Alat kerja munggaran anu diwangun nyaéta atransistor titik-kontakinvented in 1947 ku fisikawan AmérikaJohn BardeenjeungWalter Brattainbari digawé di handapeunWilliam ShockleydiBell Labs.Tilu ngabagi 1956Hadiah Nobel dina Fisikapikeun prestasi maranéhanana.[3]Jenis transistor anu paling sering dianggo nyaétalogam-oksida-semikonduktor transistor pangaruh médan(MOSFET), nu ieu invented byMohamed AtallajeungDawon Kahngdi Bell Labs taun 1959.[4][5][6]Transistor revolutionized widang éléktronika, sarta diaspal jalan pikeun leutik tur murahradio,kalkulator, jeungkomputer, diantarana.
Kalolobaan transistor dijieun tina pisan murnisilikon, jeung sababaraha tigermanium, tapi sababaraha bahan semikonduktor séjén kadang dipaké.Transistor tiasa gaduh ngan hiji jinis pamawa muatan, dina transistor efek medan, atanapi tiasa gaduh dua jinis pamawa muatan dinatransistor simpang bipolaralat-alat.Dibandingkeun jeungtabung vakum, transistor umumna leuwih leutik sarta merlukeun kakuatan kirang pikeun beroperasi.Sababaraha tabung vakum gaduh kaunggulan dibandingkeun transistor dina frékuénsi operasi anu luhur pisan atanapi tegangan operasi anu luhur.Seueur jinis transistor didamel pikeun spésifikasi standar ku sababaraha pabrik.
